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日本重新杀回内存市场 富士通联手Intel开发HBM替代品

作者:心靈之曲 浏览: 发布日期:2025-12-27
[导读]:12月26日快讯,高带宽内存(HBM)如今已成为高性能AI系统的基石,其市场价值预计短期内将超过GPU本身,而该领域目前高度集中于三星与SK海力士两家韩国厂商。日本曾是全球内存产业的领军者,鼎盛时期甚至迫使Intel彻底退出DRAM业务,转而专注CPU赛道;但随着行业格局演变,日本内存产业逐步式微,尔必达破产后,本土再无企业涉足主流内存研发与量产。继去年软银与Intel联手启动新型内存技术攻关后,日本电子巨头富士通正式宣布加入该联盟——此举源于其承接了打造日本迄今算力最强超级计算机的关键任务,对

12月26日快讯,高带宽内存(hbm)如今已成为高性能ai系统的基石,其市场价值预计短期内将超过gpu本身,而该领域目前高度集中于三星与sk海力士两家韩国厂商。

日本曾是全球内存产业的领军者,鼎盛时期甚至迫使Intel彻底退出DRAM业务,转而专注CPU赛道;但随着行业格局演变,日本内存产业逐步式微,尔必达破产后,本土再无企业涉足主流内存研发与量产。

继去年软银与Intel联手启动新型内存技术攻关后,日本电子巨头富士通正式宣布加入该联盟——此举源于其承接了打造日本迄今算力最强超级计算机的关键任务,对高带宽、低延迟、高能效的先进内存存在迫切需求。

该项目计划于2027年春季完成首代原型芯片研制,总投资额达5100万美元;至2029年全面迈入量产阶段。除软银、Intel与富士通三方联合出资外,日本RNI理化研究所及日本政府也将提供专项研发补贴。

尽管当前尚未公布详细技术参数,但该新型内存明确以替代HBM为核心目标,初步预期可实现容量提升2—3倍,同时功耗较现有HBM方案削减约50%。

台积电将承担关键制造环节,该产品采用先进3D堆叠架构,在单位面积内显著提升存储密度与数据吞吐能力。

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